Samsung ja Hynix valtaavat muistituotantoa - Taloussanomat - Ilta-Sanomat

Ennätykset paukkuvat Samsungin satsauksissa

Samsung Electronics sijoittaa tänä vuonna ennätyssumman puolijohdetuotantoon. Se rakentaa tuotantolaitoksia Etelä-Koreaan, Kiinaan ja Yhdysvaltoihin.

­

14.4.2015 9:35 | Päivitetty 14.4.2015 9:34

Samsung panostaa tänä vuonna järjestelmäpiireihin neljä miljardia dollaria verrattuna viime vuoden 2,9 miljardiin. Suurin osa tästä jakautuu Etelä-Korean Hwaseongin  Line-17-tuotantolaitokseen ja Texasin Austinissa rakenteilla olevaan 14 nanometrin puolijohdetehtaaseen. Asiasta kirjoitti taiwanilainen Digitimes oman tutkimusraporttinsa perusteella.

Dram-muistien tuotantolaitoksiin Samsung upottaa 6,4 miljardia dollaria. Toinen korealainen puolijohdevalmistaja Hynix sijoittaa dram-tuotantoon 3,8 miljardia dollaria. Yhteensä niiden sijoitukset ovat 75 prosenttia alan globaaleista sijoituksista.

Kiinassa, Xi’anin kaupungissa rakenteilla olevan 3d-nand-flash-muistien tehdas nielaisee valtaosan Samsungin 4,7 miljardin dollarin sijoituksista nand-muisteihin.

Hynix sijoittaa 10 nanometrin nand-tuotantolaitokseen 1,3 miljardia dollaria. Yhdessä eteläkorealaisten nand-flashsijoitukset ovat 64 prosenttia koko maailmassa tänä vuonna nand-muisteihin tehtävistä sijoituksista.

Samsungin odotetaan aloittavan Pyeongtaekin puolijohdeteollisuuspuiston rakennustyöt tänä vuonna. Koko hankkeen arvioidaan maksavan 14,2 miljardia dollaria. Sen uskotaan saavan kaupallisen tuotannon käyntiin vuoden 2017 toisella puoliskolla.

Osion tuoreimmat

Luitko jo nämä?